产品介绍： GeSbTe是一种相变储存材料，基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，是一种潜力的未来新型半导体存储芯片技术。 产品性能： 成分 Ge,Sb,Te（不同原子比） 纯度 99.99% 密度 >98%,6.38g/cm3 尺寸 50.8mm - 300mm 公差 直径：±0.1mm,厚度：±0.1mm 粗糙度 32RMS 网页当中提供的数据和图片仅供参考，公司可根据具体客户要求量身定做。
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