北京凯光普得光电科技有限公司

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北京凯光普得光电科技有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 TW200814233 互补式金氧半导体元件及其制造方法 2008.03.16 一种CMOS,包括:具有第一主动区与第二主动区之基底;分别配置于第一、第二主动区之基底上的第一、第二
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