序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | TW200407977 | 改良具有SiGe膜之半导体基板的方法与使用该方法所制造之半导体装置METHOD FOR IMPROVING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING SIGE FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THIS METHOD | 2004.05.16 | 一种使用氢离子植入及退火以改良矽或SOI基板上具有SiGe膜之半导体基板的方法,其中,氢离子的植入包 |