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金泽印务有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN1041977C 用于有补偿过擦除的侧壁分隔栅非易失半导体器件的方法 1999.02.03 在非易失半导体存储器件中,包括半导体基片(1)、在半导体基片上方形成的浮栅(FG)、和在浮栅上方形成
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