序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | TW201513173 | 具准分子雷射退火后之改良式多晶矽质之多层非晶矽结构及其形成方法;MULTI-LAYER AMORPHOUS SILICON STRUCTURE WITH IMPROVED POLY-SILICON QUALITY AFTER EXCIMER LASER ANNEAL AND THE METHOD FOR FORMING THE SAME | 2015.04.01 | 本说明书揭露的实施例大致上是有关于可以使用于薄膜电晶体元件之多层非晶矽结构的形成方法。在一实施例中, |