功率型LED封装技术主要应满足以下二点要求：一是封装结构要有高的取光效率，其二是热阻要尽可能。对于大工作电流的功率型LED芯片，热阻、散热良好及应力的新的封装结构是功率型LED器件的技术关键。
锡膏一般用于金属之间焊接，其导热系数为67W/m·K左右，远大于现在通用的导电银胶。因此，在LED晶圆封装等领域超细锡膏可代替现有的导电银胶和导热胶等封装材料，从而实现更好的导热效果，且大大降封装成本。
晶片尺寸：
锡膏粉径为10-25μm（5-6#粉），能满足5mil-75mil（0.127-1.91mm）范围大功率晶片的焊接。
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