苏州氮化镓衬底材料生产商 非掺氮化镓晶片
苏州恒迈瑞材料科技生产供应10mm*10.5mm²方形氮化镓自支撑衬底片,衬底厚度350um±25um,掺杂类型分为N型非掺杂,硅掺杂及半绝缘型Fe铁掺杂。GaN氮化镓自支撑衬底晶片TTV≤10um,抛光类型可选单面抛光SSP或双面抛光DSP。
蓝宝石氮化镓衬底尺寸:4 inch 100mm±0.1mm
蓝宝石衬底厚度:650um
衬底结构:GaN-On-Sapphire
掺杂类型:N型非掺杂/N型硅掺杂/
氮化镓外延厚度:4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向:C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°
位错密度:≤5x108cm-2
包装方式:晶圆盒或Cassette盒
抛光要求:单抛/双抛
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