LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。
【主要参数】
压力类型：差压
量程范围：200Pa-10MPa
输出信号：4-20mA、4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485
参考精度：±0.075%量程上限，可选±0.05%量程上限
测量介质：与接触材质兼容的流体
应用场合：压力、液位、差压、密度、界面、流量
认证：CE，CPA，NEPSI，RoHS
【标称量程】
6kPa，40kPa，250kPa，1MPa，3MPa，10MPa
【测试标准及基准条件】
测试标准：GB/T28474/IEC60770；基准条件：从点开始的量程；硅油充液，316L不锈钢隔离膜片，4-20mA模拟输出，端基微调至设定值
【性能指标】
总体恶性循环能包括并不限于【参考精度】、【环境温度影响】、【静压影响】、和其它影响的综合误差
典型精度：±0.075%量程上限
年稳定性：±0.2%SPAN/5年
【参考精度】
依据标准和测试基准条件，包括线性（BFSL）、迟滞、重复性。校准温度：20℃±5℃
当TD小于等于10，线性输出精度为±0.075%SPAN
当TD大于10小于等于100，线性输出精度为±0.0075TD%SPAN
【环境温度影响】
在-20-80℃范围内每10℃总影响为：±（0.1+0.015TD）%SPAN
【静压影响】
点影响：±0.15TD%量程上限/10MPa
满量程影响：±0.2%量程上限/10MPa
【电源影响】
当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化，其点和量程的变化应不超过±0.005%量程上限/V
【安装位置影响】
任意位置安装，不超过400Pa可通过清功能校正
【振动影响】
按GB/T1827.3/IEC61298-3测试，<0.1%量程上限
【时间指标】
总阻尼时间常数：等于电子线路部件和传感膜盒阻尼时间常数之和
电子线路部件阻尼时间：0-100S范围可调
传感膜盒（隔离传感膜片和硅油填充液）阻尼时间：≤0.2S
断电后上电启动时间：≤6S
数据恢复至正常使用时间：≤31S
【重量】
净重：3kg
【环境条件】
使用环境温度范围：-40-85℃，一体化LCD显示：-20-70℃
储存环境温度范围：-40-110℃，一体化LCD显示：-40-85℃
测量介质温度范围：充硅油传感器：-40-120℃；充惰性填充液：-40-120℃
使用环境湿度范围：5-RH@40℃
防护等级：IP65
危险场合：ExiaIICT4Ga GYB16.1962X
【供电电源】
标准型：10.5-55VDC
HART通讯协议：16.5-55VDC，通讯时负载电阻250Ω
RS485:5-32VDC
负载电阻：0-2119Ω为工作状态，250-600ΩHART
传输距离：<1000米
耗电量：≤500mW@24VDC，20.8mA
【隔离膜片材质】
316L不锈钢；哈氏合金C
【隔离充灌液】
常温硅油，适用直接接触温度范围-45-205℃
惰性填充液，适用直接接触温度范围-45-160℃
【密封方式】
O型环，聚四氟乙烯（温度适用范围）：-100-280℃
【电气连接】
不锈钢接线盒4芯M12*1航空母插头，防护等级IP65（垂直安装）
不锈钢接线盒4芯M12*1航空母插头，防护等级IP65（水平安装）
【信号输出方式】
4-20mA+HART二线制，适用供电电压10.5-55VDC
4-20mA+HART二线制，适用供电电压16.5-55VDC
Modbus-RTU/RS485，四线制适用供电电压5-32VDC
【过程连接】
H型结构，双法兰，过程连接内螺纹1/4-18NPT，法兰后端自带排液排气阀，316不锈钢
H型结构，双法兰，过程连接内螺纹1/4-18NPT，法兰侧面上部自带排液排气阀，316不锈钢
H型结构，双法兰，过程连接内螺纹1/4-18NPT，法兰侧面下方自带排液排气阀，316不锈钢
H型结构，双法兰，过程连接内螺纹1/4-18NPT，法兰后端自带排液排气阀，304不锈钢
【过程连接转接件】
转接头，外螺纹M20*1.5及引压管Φ14*2*30 3 不锈钢，适用H型结构
转接头，1/2-14NPT内螺纹，304不锈钢，适用H型结构
【固定安装件】
管装弯支架，2"管子，配套安装组件，碳钢，适用H型结构
板装弯支架，配套安装组件，碳钢，适用H型结构
管装平支架，2"管子，配套安装组件，碳钢，适用H型结构
【尺寸图】
联系我时，请说是在找找去看到的，谢谢！
